KDF 设备代理
KDF - 磁控溅射系统专业制造商
关于KDF公司
KDF公司成立于1986年，是磁控溅射系统的专业制造商，其前身是著名的磁控溅射系统制造商MRC公司(MRC公司1963年开始从事磁控溅射系统的制造)。
KDF磁控溅射系统，应用于半导体硅器件，III-V族化合物器件，无线通讯元器件，集成无源器件(IPD)，光电器件，薄膜电路，功率器件，微机械电子器件(MEMS)，医疗器械，激光二极管，光子学和表面涂料等广泛领域。
- 成立于1986年，前身为著名MRC公司
- 磁控溅射系统专业制造商
- 广泛应用于半导体、光电器件等领域
- 持续技术创新与工艺优化
核心设备解决方案
900i 系列平面阴极系统
• 设备基于成熟的MRC技术，灵活，可靠，适用于各种应用场合
• 设备预真空室与工艺室采用液压高压力密封，保证工艺室真空
• 托盘装入取出一次完成，可配置高真空预真空室满足更高产能
• 水平放置的阴极，可实现高效率的基片单次或多次扫描式溅射
• 可通过设定工艺程序自由切换的直流、射频电源网络
• 支持高速率反应溅射和复杂的多层材料溅射
• 可将任意不同形状大小的基片水平放置于基片承载盘上，无需固定
904i磁控溅射系统
4靶位，300x300毫米有效溅射面积（4x6"wafers）
944i磁控溅射系统
4靶位，300x300毫米有效溅射面积（4x6"wafers）
900i 系列嵌入式阴极系统
• 专用于大批量生产的特殊嵌入式阴极
• 提高靶材使用寿命，延长换靶周期
• 提高靶材利用率，减少耗材成本
• 针对不同材料类型有不同设计方案：
- MU嵌入式DC阴极，用于消耗量大的Cu、Al等金属材料
- UPSILON嵌入式DC阴极，用于Au、Pt等贵金属材料
943i磁控溅射系统
4靶位，300x300毫米有效溅射面积（4x6"wafers）
954i磁控溅射系统
4靶位，300x300毫米有效溅射面积（4x6"wafers）
KDF 大尺寸溅射系统
• 可满足高密度互连，300毫米半导体晶圆，OLED和平板显示器制造的苛刻工艺要求
• 设备成本和后期维护成本远低于Cluster集群设备
• 相对于Cluster集群设备更容易使用和维护
• 紧凑的占地面积，不到Cluster集群设备所需空间的三分之一
• 一次最多可加工4个200毫米/300毫米晶圆
974i磁控溅射系统
4靶位，500x500毫米有效溅射面积（4x8"wafers）
844i立式侧溅射磁控溅射系统
4靶位，660x660毫米有效溅射面积（4x12"wafers）
应用领域
KDF设备广泛应用于以下领域